サムスン電子は、６０ナノ工程を適用した２ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ２ ＤＲＡＭ開発に世界で初めて成功したと１２日、明らかにした。

５１２メガビット（Ｍｂ）製品に続き、３月から６０ナノ級１Ｇｂチップの量産に入った同社は、今回の２Ｇｂ開発とこれを年末からの量産体制に入り、ＤＲＡＭ全製品に６０ナノ工程転換作業を終える唯一の企業となる。

サムスン電子はＤＲＡＭ分野で、昨年５０ナノ製品の開発に成功した。 今年は４０ナノ技術に挑戦している。６０ナノＤＲＡＭは従来の８０ナノ製品に比べて回路幅とチップのサイズが小さくなり、生産性が４０％ほど高まる。

同社の全峻永（チョン・ジュンヨン）常務は「電力の消耗が３０％以上減り、それだけ発熱も少なくなる」と説明した。 サーバーやワークステーションなどで、従来１ＧｂのＤＲＡＭ３６個で構成されていた４ギカバイト（ＧＢ）ＤＲＡＭモジュールを２Ｇｂチップ１８個で置き換えられるからだ。

アメリカの半導体分野専門市場調査会社、ガートナーデータクエストによると、今年から販売された２ＧｂのＤＲＡＭは２０１１年にＤＲＡＭ市場全体の４７％に相当する１４０億ドル規模に成長すると予測した。