サムスン電子は、60ナノ工程を適用した2ギガビット(Gb)DDR2 DRAM開発に世界で初めて成功したと12日、明らかにした。
512メガビット(Mb)製品に続き、3月から60ナノ級1Gbチップの量産に入った同社は、今回の2Gb開発とこれを年末からの量産体制に入り、DRAM全製品に60ナノ工程転換作業を終える唯一の企業となる。
サムスン電子はDRAM分野で、昨年50ナノ製品の開発に成功した。 今年は40ナノ技術に挑戦している。60ナノDRAMは従来の80ナノ製品に比べて回路幅とチップのサイズが小さくなり、生産性が40%ほど高まる。
同社の全峻永(チョン・ジュンヨン)常務は「電力の消耗が30%以上減り、それだけ発熱も少なくなる」と説明した。 サーバーやワークステーションなどで、従来1GbのDRAM36個で構成されていた4ギカバイト(GB)DRAMモジュールを2Gbチップ18個で置き換えられるからだ。
アメリカの半導体分野専門市場調査会社、ガートナーデータクエストによると、今年から販売された2GbのDRAMは2011年にDRAM市場全体の47%に相当する140億ドル規模に成長すると予測した。